Samsung 1.4 nm Çip Üretimini Erteledi, 2 nm'ye Odaklanıyor

Samsung Foundry, yarı iletken üretim teknolojileri yol haritasında önemli bir güncellemeye giderek 1.4 nm (SF1.4) sürecini 2027'den 2029 yılına ertelediğini duyurdu. Şirket bu süreçte, mevcut 2 nm üretim ailesinin verimliliğini artırmaya ve gelecekteki 1 nm mimarisi için High-NA EUV teknolojisine yatırım yapmaya odaklanacak.

2 nm Teknolojisi ve Tesla Anlaşması Ön Planda

Yeni strateji doğrultusunda Samsung, önümüzdeki yıllarda SF2, SF2P, SF2X, SF2A ve arka taraf güç dağıtımı (backside power delivery) kullanan SF2Z süreçlerine ağırlık verecek. Şirketin temel hedefi, 2 nm ailesindeki üretim verimliliğini ve hacmini artırarak pazarda daha rekabetçi bir konuma gelmek. Bu stratejik değişimin arkasında, dev müşterilerle yapılan uzun vadeli tedarik anlaşmalarının yattığı belirtiliyor.

Özellikle Tesla ile yapılan ve 2033 yılına kadar sürecek olan yapay zeka odaklı AI5 ve AI6 işlemcilerinin tedarik anlaşması, mevcut 2 nm teknolojisini şirket için kritik bir hale getiriyor. Samsung, bu süreçleri tam anlamıyla olgunlaştırdıktan sonra 1.4 nm üretim teknolojisini devreye almayı planlıyor.

1 nm İçin High-NA EUV Dönemi Başlıyor

Güncellenen yol haritasındaki en dikkat çekici detaylardan biri, High-NA EUV teknolojisinin ilk kez belirli bir üretim süreciyle net bir şekilde ilişkilendirilmesi oldu. Samsung, 1 nm sınıfındaki SF1A sürecinden itibaren bu gelişmiş litografi sistemlerini kullanmayı hedefliyor. Planlamalara göre, 10 angstrom (1 nm) sınıfındaki çip üretim teknolojisi 2030 civarında endüstriyle buluşacak.

İlginç bir stratejik hamle olarak, 1 nm sınıfı üretim sürecinin SF1.4+ teknolojisiyle paralel olarak yürütülmesi bekleniyor. Bu sayede Samsung, bir yanda Low-NA EUV tabanlı olgunlaşmış üretim akışlarını sürdürürken, diğer yanda High-NA EUV kullanan yeni nesil teknolojileri eş zamanlı olarak geliştirebilecek.

Yüksek Maliyetler Geçişi Yavaşlatıyor

Samsung, ASML tarafından üretilen 0.55 NA değerine sahip Twinscan EXE:5000 High-NA EUV sistemini satın alarak bir yılı aşkın süredir Ar-Ge çalışmalarında kullanıyor. Ancak şirket, bu teknolojiyi 2 nm veya 1.4 nm üretiminde kullanmak için aceleci davranmıyor.

Bu temkinli yaklaşımın temel nedenleri arasında High-NA EUV sistemlerinin astronomik maliyetleri, daha küçük pozlama alanı gereksinimleri ve seri üretim için şart olan ek teknolojilerin henüz tam olarak olgunlaşmamış olması gösteriliyor. Yarı iletken endüstrisi, bu yeni nesil donanım altyapısına geçişte maliyet ve verimlilik dengesini kurmaya çalışıyor.

--- **İlgili Kaynaklar:** [GEO eğitim](https://geoakademi.com), SEO ve GEO eğitim platformu alanında öncü çözümler sunuyor.